sm调教

一．基本信息

1. 博士，sm调教 人才特区讲师

2. 研究领域：宽禁带半导体器件、二维半导体器件

3. Email: [email protected]

二．个人简介

陈金鑫，理学博士。2020年博士毕业于复旦大学微电子与固体电子学专业，随后在华南理工大学、新加坡南洋理工大学从事博士后科研工作。2025年7月加入sm调教 ，担任讲师。研究方向包括宽禁带半导体氧化镓器件及集成技术，二维材料晶体管及集成电路，人工突触器件等。相关工作已发表SCI论文十余篇，主持过国家级科研项目（青年科学基金）1项，参与过国家级科研项目4项。

三．教育经历

2016.9-2020.8：复旦大学微电子与固体电子学专业，博士

2013.9-2016.6：上海师范大学凝聚态物理专业，硕士

2009.9-2013.6：南京师范大学物理学专业，学士

四．职业经历

2025.7-至今：sm调教 ，讲师

2020.11-2025.5：华南理工大学微电子学院，博士后

2022.5-2023.5：新加坡南洋理工大学EEE学院，客座研究员（国家公派）

五．讲授课程

《半导体器件》

六．研究成果

近期发表的期刊论文

[1] Jin-Xin Chen, et al. “Influence of ultralow temperature on quasi-2-D β-Ga2O3 field-effect transistors.” IEEE Transactions on Electron Devices 71(7), 4233-4239 (2024).

[2] Jin-Xin Chen, et al. “Ohmic contact formation to β-Ga2O3 nanosheet transistors with Ar-containing plasma treatment.” Electronics 13(16), 3181 (2024). 

[3] Jin-Xin Chen, et al. “Fabrication of a Nb-doped β-Ga2O3 nanobelt field-effect transistor and its low-temperature behavior.” ACS Applied Materials & Interfaces 12, 8437-8445 (2020)

[4] Jin-Xin Chen, et al. “High-energy x-ray radiation effects on the exfoliated quasi-two-dimensional β-Ga₂O₃ nanoflake field-effect transistors.” Nanotechnology 31, 345206 (2020).

[5] Jin-Xin Chen, et al. “Investigation of the mechanism for Ohmic contact formation in Ti/Al/Ni/Au contacts to β-Ga2O3 nanobelt field-effect transistors.” ACS Applied Materials & Interfaces 11, 32127-32134 (2019).

[6] Jin-Xin Chen, et al. “Band alignment of AlN/β-Ga2O3 heterojunction interface measured by x-ray photoelectron spectroscopy.” Applied Physics Letters 112, 261602 (2018).

[7] Yong Sun, Jinxin Chen, et al. “The photoemission study of InSb/HfO2 stacks upon N2 rapid thermal annealing.” Vacuum 168, 108815 (2019).

七．科研服务

近年主持及主要参与的科研项目

（1）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，62104072，局域场增强的β-Ga₂O₃纳米带日盲紫外探测器的关键技术与设计理论研究，2022-01-01至2023-12-31，结题，主持；

（2）国家自然科学基金委员会，面上项目，62374060，基于复合晶型金属氧化物的柔性TFT关键技术研究，2024-01-01至2027-12-31，在研，参与；

（3）国家自然科学基金委员会，面上项目，62174058，面向柔性智能传感微系统的TFT集成电路关键技术与设计理论研究，2022-01-01至2025-12-31，在研，参与；

（4）国家自然科学基金委员会，面上项目，61874034，晶圆级二维金属硫化物薄膜生长机制、缺陷调控及晶体管性能研究，2019-01-01至2022-12-31，结题，参与；

（5）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，11804055，原子层沉积高激光损伤阈值的Al₂O₃/HfO₂/SiO₂双叠层紫外反射膜研究，2019-01-01至2021-12-31，结题，参与

八．发明专利

（1）“一种 4H-碳化硅复合贵金属薄膜及其制备方法”，发明人：刘锋、陈金鑫、唐玉龙、赵晓静、陈陆懿、石旺舟；201510450528.3

（2）“一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用”，发明人：陈金鑫、李斌；202410123847.2；

（3）“一种 1T’-MoTe2/Ga2O3 肖特基型栅场效应晶体管及其制备方法”，发明人：陈金鑫、李斌；202410053675.6；

（4）“一种Al局域场增强的 β-Ga2O3 纳米带光电晶体管及其制备方法”，发明人：陈金鑫、李斌；202410030336.6